<br /> <b>Warning</b>: Use of undefined constant name - assumed 'name' (this will throw an Error in a future version of PHP) in <b>/home/xs947668/stg-opt-ron.site/public_html/old.stg-opt-ron.site/wp-content/themes/indeco/header.php</b> on line <b>61</b><br /> 株式会社オプトロンサイエンス | 光ファイバ・コリメータ・レーザー発振器

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近赤外広帯域InGaAsフォトダイオード (Extended InGaAs Photodiode)

GPDは1973年以降、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオードを製造し、1985年からは赤外フォトディテクタの製造を開始しました。Ge、p-n、APDや高速InGaAsピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用の大面積の光検出器等が製品群です。 GPDはMIL-I-45208に従った検査システム、フォトダイオードはTelcordiaのテスト要求（TA-NWT-00093）、MIL-STD-883の試験方法を導入しています。または顧客仕様の要求に対応致します。


  • 特徴
  • ◆ 有口径：0.3mm~3mm
  • ◆ カットオフ波長：1.9μm, 2.05μm,2.2μm,2.6μm,
  • ◆ 高シャント抵抗
  • ◆ 各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ、ボールレンズ
  • ◆ パッケージ：TO-46, TO-18, TO-5

  • 応用
  • ◆ ガスセンシングモニター
  • ◆ 炭化水素センサー
  • ◆ 炎／スパーク検出
  • ◆ FTIR
  • ◆ 分光

2.05μm近赤外InGaAsフォトダイオード 一覧

 
  • GAP300/2.05
  • GAP500/2.05
  • GAP1000/2.05
  • GAP2000/2.05
  • GAP3000/2.05
  • 有効径(mm)
  • 0.3
  • 0.5
 1.0
  • 2.0
  • 3.0
  • ピーク波長(μm) typ.
 1.8±0.1 1.8±0.1 1.8±0.1 1.8±0.1 1.8±0.1
  • カットオフ波長(μm)50%
 2.05±0.1 2.05±0.1 2.05±0.1 2.05±0.1 2.05±0.1
    • 感度
    • A/W min(typ.)
    • @λp
 0.9

(1.0)

 0.9

(1.0)

 0.9

(1.0)

 0.9

(1.0)

 0.95

(1.1)
シャント抵抗(Ω）min. (typ.)
 2M

(5M)

 1M

(2.5M)
  • 0.3M(min.)
  • 90K(min.)
 15K

(20K)
暗電流(μA) max.
 0.5@1V 1@1V 4@1V 10 12@0.5V
容量(pF) typ.@0V
 80 250 500 1600 4000
  • バンド幅 (MHz)
  • W/50Ω@0V
  • typ.
  •  
  • 40
 12.7
  • 6.4
 2 0.8
  • 立上時間(ns)
  • w/50Ω@0V
  • typ.
 9
  • 27.5
  • 55
 176 440
NEP(W/Hz1/2 )@λPEAK typ.
 5.7X10-14 8.1X10-14 23.4X10-14 24.8X10-14 90.7X10-14
6 6 6 6 6
パッケージタイプ（標準）
 TO-46 TO-46 TO-46 TO-5 TO-5
保存温度（℃）
 -40~125 -40~125 -40~125 -40~125 -40~125
動作温度（℃）
 -40~85 -40~85 -40~85 -40~85 -40~85
逆電圧(V)
 2 2 2 2 1
逆電流(mA)
 10 10 10 10 10
順電流(mA)
 10 10 10 10 10
電力損失(mW)
 50 50 50 50 50

2.2μm近赤外InGaAsフォトダイオード 一覧

 
  • GAP300/2.2
  • GAP500/2.2
  • GAP1000/2.2
  • GAP2000/2.2
  • GAP3000/2.2
  • 有効径(mm)
  • 0.3
  • 0.5
 1.0
  • 2.0
  • 3.0
  • ピーク波長(μm) typ.
 2.0±0.1 2.0±0.1 2.0±0.1 2.0±0.1 2.0±0.1
  • カットオフ波長(μm)50%
 2.2±0.1 2.2±0.1 2.2±0.1 2.2±0.1 2.2±0.1
    • 感度
    • A/W min.(typ.)
    • @λp
 0.9

(1.0)

 0.9

(1.0)

 0.9

(1.0)

 ?0.9

(1.0)

 0.95

(1.1)
シャント抵抗(Ω）min. (typ.)
 0.5M

(0.8M)

 0.18M

(0.33M)

 40K

(75K)

 6K

(10K)

 2K

(6K)
暗電流(μA) max.
 1@1V 5@1V 10@1V 40@1V 100@1V
容量(pF) typ.@0V
 90 275 1000 4000 8000
  • バンド幅 (MHz)
  • W/50Ω@0V
  • typ.
  •  
  • 35
 11.6
  • 3.18
 0.795 0.397
  • 立上時間(ns)
  • w/50Ω@0V
  • typ.
 10
  • 30
 110 440 881
NEP(W/Hz1/2 )@λPEAK typ.
 14.3X10-14 22.3X10-14 46.8X10-14 128X10-14 287X10-14
6 6 6 6 6
パッケージタイプ（標準）
 TO-46 TO-46 TO-46 TO-5 TO-5
保存温度（℃）
 -40~125 -40~125 -40~125 -40~125 -40~125
動作温度（℃）
 -40~85 -40~85 -40~85 -40~85 -40~85
逆電圧(V)
 2 2 1 1 1
逆電流(mA)
 10 10 10 10 10
順電流(mA)
 10 10 10 10 10
電力損失(mW)
 50 50 50 50 50

2.6μm近赤外InGaAsフォトダイオード 一覧

 
  • GAP300/2.2
  • GAP500/2.2
  • GAP1000/2.2
  • GAP2000/2.2
  • GAP3000/2.2
  • 有効径(mm)
  • 0.3
  • 0.5
 1.0
  • 2.0
  • 3.0
  • ピーク波長(μm) typ.
 2.2±0.1 2.2±0.1 2.2±0.1 2.2±0.1 2.2±0.1
  • カットオフ波長(μm)50%
 2.6±0.1 2.6±0.1 2.6±0.1 2.6±0.1 2.6±0.1

 
    • 感度
    • A/W min.(typ.)
    • @λp
 0.9

(1.0)

 0.9

(1.0)

 0.9

(1.0)

 0.9

(1.0)

 0.95

(1.1)
シャント抵抗(Ω）min. (typ.)
 16K

(25K)

 5K

(8K)

 2K

(4K)

 0.5K

(1.5K)

 0.2K

(0.5K)
暗電流(μA) max.
 13@1V 20@0.5V 80@0.5V 320@0.5V 500@0.5V
容量(pF) typ.@0V
 100 270 1000 4400 10000
  • バンド幅 (MHz)
  • W/50Ω@0V
  • typ.
  •  
  • 32
 16
  • 3.3
 0.8 0.35
  • 立上時間(ns)
  • w/50Ω@0V
  • typ.
 11
  • 22
 110 440 10000
NEP(W/Hz?1/2 )@λPEAK typ.
 81X10-14 143X10-14 203X10-14 331X10-14 574X10-14
6 6 6 6 6
パッケージタイプ（標準）
 TO-46 TO-46 TO-46 TO-5 TO-5
保存温度（℃）
 -40~125 -40~125 -40~125 -40~125 -40~125
動作温度（℃）
 -40~85 -40~85 -40~85 -40~85 -40~85
逆電圧(V)
 2 0.5 0.5 0.5 0.5
逆電流(mA)
 10 10 10 10 10?
順電流(mA)
 10 10 10 10 10?
電力損失(mW)
 50 50 50 50 50
 
  • GAP300/1.9
  • GAP500/1.9
  • GAP1000/1.9
  • GAP2000/1.9
  • GAP3000/1.9
  • 有効径(mm)
  • 0.3
  • 0.5
 1.0
  • 2.0
  • 3.0
  • ピーク波長(μm) typ.
 1.7±0.1 1.7±0.1 1.7±0.1 1.7±0.1 1.7±0.1
  • カットオフ波長(μm)50%
 1.9±0.1 1.9±0.1 1.9±0.1 1.9±0.1 1.9±0.1

 
    • 感度
    • A/W min.
    • (typ.)
    • @λp
 0.9

(1.0)

 0.9

(1.0)

 0.9

(1.0)

 0.9

(1.0)

 0.9

(1.0)
シャント抵抗(MΩ）min.
 15 2
  • 1
  • 0.25
 0.11
暗電流(μA) max.
 0.1@1V 0.9@1V 4@1V 10@1V 22.5@0.5V
容量(pF) typ.@0V
 60 200? 600 3000 6750
  • バンド幅 (MHz)
  • W/50Ω@0V
  • typ.
  •  
  • 53
 16
  • 5.3
  • 1.1
 0.47
  • 立上時間(ns)
  • w/50Ω@0V
  • typ.
 6.6
  • 22
  • 66
  • 330
 742
NEP(W/Hz1/2 )@λPEAK typ.
 3X10-14 9X10-14 12.8X10-14 26X10-14 38X10-14
6 6 6 6 6
パッケージタイプ（標準）
 TO-46 TO-46 TO-46 TO-5 TO-5
保存温度（℃）
 -40~125 -40~125 -40~125 -40~125 -40~125
動作温度（℃）
 -40~85 -40~85 -40~85 -40~85 -40~85
逆電圧(V)
 3 2 2 2 1
逆電流(mA) 10 10 10 10 10
順電流(mA)
 10 10 10 10 10
電力損失(mW)
 50 50 50 50 50

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