レーザ発振器・光源
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MirPac 2.94μm DPSSレーザ
Sheaumann Laser (Axcel photonics)
◆手のひらサイズの筐体でCW Er:YAG 2.9μm TEM00ビームの出力
◆絶縁 (Electrically isolated)、密閉パッケージ
◆内部デュアルTEC搭載
◆低RMS
◆多様なファイバカップルオプション
1000W(1KW), 2000W(2KW) CW ファイバーレーザ
◆ 1080nm, 1000W(1KW)/2000W(2KW)
◆ 水冷コンパクトサイズ(装置組込に最適)
◆ レーザーカット、レーザー溶接、その他
200W 300W CW ファイバーレーザ
◆ 1080nm, 200W/300W
◆ 空冷コンパクトサイズ
◆ レーザー切断、溶接、穴あけ、3Dプリンティング
150W/1500W QCW ファイバーレーザ
◆ 1080nm QCW MOPA型ファイバーレーザ
◆ 150W(QCW), 250W(CW) 平均出力、 1500W 最大ピークパワー
◆ 15J 最大パルスエネルギー、0.01~10ms パルス幅、1~10000Hz
◆ レーザー切断、溶接、3Dプリンティング、穴あけ
LARK 355A (355nm Qスイッチ DPSSレーザ)
◆ 半導体励起Qスイッチ固体SHGレーザ (DPSS QスイッチTHGレーザ)
◆ >3W @40Hz
◆ <18nsec パルス幅
◆ 空冷コンパクトサイズ
LARK 532 (532nm Qスイッチ DPSSレーザ)
◆ 半導体励起Qスイッチ固体SHGレーザ (DPSS QスイッチSHGレーザ)
◆ >7W/10W @40kHz
◆ <15nsec パルス幅
◆ 空冷コンパクトサイズ
20W, 30W, 50W ファイバーレーザ (LP series, MOPA)
◆ MOPA((Master Oscillator Power Amplifier)型ファイバーレーザ
◆ 1064nm, 20W, 30W, 50W
◆ 200ns パルス幅固定、低価格
◆ シリコンキーパッドマーキング, 金属マーキング
◆ 高周波数ライン加工、金属表面加工
20~200W ファイバーレーザ (M7 series, MOPA)
◆ MOPA((Master Oscillator Power Amplifier)型ファイバーレーザ
◆ 1064nm, 20W, 30W, 60W, 80W, 100W, 120W, 150W, 200W
◆ 2ns ~ 500ns パルス幅、CW動作も可
◆ 金属シート切断、溶接、金属表面加工、コーテイング剥離、表面処理
◆ 線引き、穴あけ、マーキング、レーザー除錆
低コヒーレンス PMファイバ出力 光源
◆コヒーレンス長:<300μm
◆低パワーノイズ:<0.1 RMS (<1MHz)
◆低スペックルノイズ
◆DIN AVIO, E-2000コネクタにも対応
◆インターロック、キースイッチ付 (IEC825 /EN60825-1準拠)
低コヒーレンス ファイバ出力 光源
◆コヒーレンス長:<300μm
◆低パワーノイズ:<0.1 RMS (<1MHz)
◆低スペックルノイズ
◆DIN AVIO, E-2000コネクタにも対応
◆インターロック、キースイッチ付 (IEC825 /EN60825-1準拠)
レーザポインタ
- ◆小型、軽量のため様々な環境で使用出来る空間出力の光源
- ◆375nm~1550nmまで多彩なラインナップがあります
- ◆自己診断機能により温度異常を感知すると自動的にシャットダウンし、LDを保護します
真円レーザポインタ
◆通常のレーザポインタでは困難な真円ビームを出力
◆He-Neレーザ等の置き換えに最適
◆405nm~1550nmまで多彩なラインナップがあります
◆サイズ:φ18mm、長さ:約160mm
TGModule D
◆ TGMCに励起用半導体レーザを含めた光パワーアンプ
◆ 30mWのシード光入射にて最大100Wのレーザー出力
◆ >1MWピークパワー、超短パルスレーザの高ゲイン増幅
◆ 高品質レーザー加工、非熱加工(レーザーアブレーション)、高深度バイオイメージング
ナノ秒パルスUVレーザ 0.5W(LP101)
- ◆オンザフライマーキング
- ◆PBCへのマーキング、カットや切り分け
- ◆ウェハスクライビング
- ◆セラミックへの穴あけ、スクライビング
- ◆ガラスやサファイアの切断
- ◆フィルムエッチング
ピコ秒パルス IRシリーズ 10W/15W/50W(Amber IR-10/25/50)
- ◆グラスやセラミックへの穴あけ、カット
- ◆半導体産業
- ◆医療産業
- ◆壊れやすい材料へのマイクロマシーング
ピコ秒パルス GRシリーズ 5W/15W/25W(Amber GR-05/15/25)
- ◆グラスやセラミックへの穴あけ、カット
- ◆半導体産業
- ◆医療産業
- ◆壊れやすい材質へのマイクロマシーング
ナノ秒パルスGRシリーズ 8W/15W/25W(SP532-08/12/25W)
- ◆グラス穴あけ、カット
- ◆レザーマーキング
- ◆PCBオンザフライマーキング
- ◆ガラス・クリスタルの内部彫刻
- ◆微細加工
- ◆理化学検査
マイクロチップレーザー1064nm
- ◆マイクロチップレーザー(1064nm)
- ◆繰返周波数:シングルショット~500kHz
- ◆パルス幅:150ps+/-30ps
- ◆パルスエネルギー:>12.5ンJ
ASE光源 (1020~1080nm)
ベンチトップ型1000nm帯ASE光源。Yb-dopedファイバを用い高出力/安定性を実現。
ASE光源 (C-band/1525~1565nm)
高出力、高安定性。C-band(1525-1565nm) ASE光源。国内の製造ラインでも納入実績が高い同社のロングセラー製品です。
小型・高エネルギー・低繰返パッシブQスイッチレーザー(1Hz, 1.8mJ, 6ns) ES-2.0
- ◆小型レーザーヘッド
- ◆高エネルギー
- ◆1535nm
- ◆パッシブQスイッチレーザー
小型・高エネルギー・低繰返パッシブQスイッチレーザー(1Hz, 2.8mJ, 10ns) ES-3.0
- ◆小型レーザーヘッド
- ◆高エネルギー
- ◆1535nm
- ◆パッシブQスイッチレーザー
小型・高エネルギー・低繰返パッシブQスイッチレーザー(15Hz, 5.0mJ, 10ns) ESH-5.0
- ◆小型レーザーヘッド
- ◆高エネルギー
- ◆1535nm
- ◆パッシブQスイッチレーザー
257nm~9150nm DPSSレーザ, ダイオードレーザ, ファイバーレーザ, RGBレーザ
Shanghai Dream Lasers Technology
◆ 波長 : 257nm~9150nm
◆ DPSSレーザ、ダイオードレーザ、ファイバーレーザ、RGBレーザ
◆ 単一周波数レーザ、低ノイズレーザ、Qスイッチレーザ、ラマンレーザ
波長可変赤外半導体レーザ 1.9~2.5μm
- ◆ 赤外チューナブルレーザ
- ◆ 波長帯域 : 1.9~2.5μm
- ◆ 用途 : 分子分光、ガスセンシング(C, CO2, NH3, N2O, O2, O3)、シード光、シリコン量子フォトニクス
ピコ秒パルス半導体レーザー OPG-1000PL
- ◆ピコ秒パルス:40ps~80ps,typ.
◆多彩な波長:375,405,639,655,780,850nm
◆外部 アナログ変調・デジタル変調 可能
レーザポインタ用出力調整コントローラ OSD-C200HG
- ◆レーザーポインタ(AOS-110用)のパワーサプライです
- ◆レーザポインタの出力調整および外部変調入力が可能