Brolis Semiconductors
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現在の登録件数:4 件
近赤外半導体レーザ 800~1100nm
- ◆ 近赤外半導体レーザ
- ◆ 波長:800~1100nm
- ◆ 出力:数mW~数W
- ◆ 用途 : 分子冷却分光、シード光、ラマン分光、セキュリティ
中赤外半導体レーザ 1800~3400nm
- ◆ 中赤外半導体レーザ(小型パッケージ)
- ◆ 波長:1800~3400nm
- ◆ 出力:数mW~数百mW
- ◆ 用途 : ガス・大気センシング、膜厚測定、LIDAR、呼気測定 、グルコース濃度測定
波長可変赤外半導体レーザ 1.9~2.5μm
- ◆ 赤外チューナブルレーザ
- ◆ 波長帯域 : 1.9~2.5μm
- ◆ 用途 : 分子分光、ガスセンシング(C, CO2, NH3, N2O, O2, O3)、シード光、シリコン量子フォトニクス
MBE(分子ビームエピタキシ) カスタムエピウェハ
- ◆ 分子ビームエピタキシ基板サービス
- ◆ サイズ:2インチ、3インチ、4インチ
- ◆ 波長:近赤外~赤外
- ◆ 構造図はお客様からの提出となります。