InGaAs電子冷却式フォトダイオード (InGaAs Thermoelectric Cooled Photodiode)
GPDは1973年以降、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオードを製造し、1985年からは赤外フォトディテクタの製造を開始しました。Ge、p-n、APDや高速InGaAsピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用の大面積の光検出器等が製品群です。 GPDはMIL-I-45208に従った検査システム、フォトダイオードはTelcordiaのテスト要求（TA-NWT-00093）、MIL-STD-883の試験方法を導入しています。または顧客仕様の要求に対応致します。
- 特徴
- ◆ シングル又はデュアルステージTEクーラ
- ◆ 有効径：0.3mm~5mm
- ◆ 高シャント抵抗
- ◆ 低暗電流又は低リーク電流
- ◆ 高感度
- ◆ カットオフ波長：1.7,1.9,2.05,2.2,2.6μm
- ◆ 標準パッケージ：TO-5,TO-8,TO-66
- ◆ ファイバピグテイル、SMAレセプタクル付カスタムパッケージ
- 応用
- ◆ 近赤外測光/放射測定
- ◆ 分光
- ◆ ガスセンシング
- ◆ FTIR
- ◆ ラマン分光
- ◆ 医療診断
モデル |
有効径(mm) |
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GAP1000TE1 |
1 |
1.52±0.1 |
|
0.95/1.0 |
80 | 40 | 8.8 |
GAP2000TE |
2 | 300 | 11 | 32 | |||
GAP3000TE1 |
3 | 600 | 5 | 70 | |||
|
5 | 1000 | 3 | 117 | |||
|
1 |
1.77±0.1 |
2.02±0.1
|
0.9/1.0 |
500 | 6.4 | 55 |
GAP2000TE1/2.05 |
2 | 1600 | 2 | 176 | |||
GAP3000TE1/2.05 |
3 | 4000 | 0.8 | 440 | |||
GAP1000TE1/2.2 |
1 |
|
|
|
1000 | 3.18 | 110 |
GAP2000TE1/2.2 |
2 | 4000 | 0.795 | 440 | |||
GAP3000TE1/2.2 |
3 | 8000 | 0.397 | 881 | |||
GAP1000TE1/2.6 |
1 |
2.17±0.1 |
2.57±0.1 |
0.9/1.0 |
1000 | 3.2 | 110 |
GAP2000TE1/2.6 |
2 | 4000 | 0.8 | 440 | |||
GAP3000TE1/2.6 |
3 | 10000 | 0.35 | 1000 | |||
GAP1000TE2 |
1 |
1.51±0.1 |
1.64±0.1 |
0.95/1.0
|
80 | 40 | 8.8 |
GAP2000TE2 |
2 | 300 | 11 | 32 | |||
GAP3000TE2 |
3 | 600 | 5 | 70 | |||
GAP5000TE2 |
5 | 1000 | 3 | 117 | |||
GAP1000TE2/2.05 |
1 |
|
|
|
500 | 6.4 | 55 |
GAP2000TE2/2.05 |
2 | 1600 | 2 | 176 | |||
GAP3000TE2/2.05 |
3 | 4000 | 0.8 | 440 | |||
GAP1000TE2/2.2 |
1 |
1.96±0.1 |
2.16±0.1? |
0.9/1.0 |
1000 | 3.18 | 110 |
GAP2000TE2/2.2 |
2 | 4000 | 0.795 | 440 | |||
GAP3000TE2/2.2 |
3 | 8000 | 0.397 | 881 | |||
GAP1000TE2/2.6 |
1 |
|
|
|
1000 | 3.2 | 110 |
GAP2000TE2/2.6 |
2 | 4400 | 0.8 | 440 | |||
GAP3000TE2/2.6 |
3 | 10000 | 0.35 | 1000 |
