OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。
紫外（＋可視光）波長用フォトダイオード
石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージされた、それらのディテクターは200nmから1100nmの波長感度です。それらは、低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇することができます。
反転層フォトダイオード(Inversion Layer Photodiode)
![Silicon-InversionLayer[1]](https://old.stg-opt-ron.site/images/Silicon-InversionLayer1.jpg) |
反転層フォトダイオードは100％内部量子効率で、低強度の光測定に非常に適しています。
特徴
- ・反転シリーズ：100%内部QE
- ・超高RSH
- ・プレーナ拡散シリーズ：高速応答、高安定
- ・優れた紫外応答性
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応用
- ・汚染モニタリング
- ・医療機器
- ・UV露光モニター
- ・分光
- ・水質浄化
- ・蛍光
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平面拡散型フォトダイオード(Planar Diffused Photodiode)
![Silicon-PlanarDiffused[1]](https://old.stg-opt-ron.site/images/Silicon-PlanarDiffused1.jpg) |
- 平面拡散したフォトダイオードは低い静電容量と反転層のフォトダイオードに比べて高い立ち上がり時間を提供します。
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特徴
- ・反転シリーズ：100%内部QE
- ・超高RSH
- ・平面拡散シリーズ：高速応答、高安定
- ・優れたUV応答
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応用
- ・汚染モニター
- ・医療機器
- ・UV露光計
- ・分光
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平面拡散型赤外抑制フォトダイオード(Planar Diffused IR Supressed Photodiode)
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- 平面拡散フォトダイオードは反転層フォトダイオードに比べ低静電容量と速い立上り時間を提供します。
- それらのデバイスは高い光出力まで光電流の直線性を示します。それらのデバイスの赤外感度は周辺光干渉を最小に抑え込んでいます。
特徴
- ・反転シリーズ：100%内部QE
- ・高速RSH
- ・平面拡散シリーズ：IR抑制、高速反応、高信頼性
- ・優れた紫外応答
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応用
- ・汚染モニタリング
- ・医療機器
- ・UV露光メーター
- ・分光
- ・水質浄化
- ・蛍光
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