Brolis Semiconductors社は、社内のマルチウェハ MBE設備を使用してカスタム構造の分子線エピタキシ基板サービスを提供しています。可能なマルチウェハ成長能力は14 x 2インチ、7 x 3インチ、4 x 4インチです。利用可能な材料は、アルミニウム（Al）、ガリウム（Ga）、インジウム（In）、ヒ素（As）およびアンチモン（Sb）です。ドーピング目的のために、ベリリウム（Be）、シリコン（Si）およびテルル化ガリウム（GaTe）が利用可能です。

ウェハ品質検査には以下の項目が含まれます。
 ・HRXRD（ロッキングカーブ、相反空間マッピング）
 ・フォトルミネッセンス　10 K〜300 K
 ・最大4インチのウェハ直径に対応する室温フォトルミネッセンス
 ・光学顕微鏡
 ・ホール移動度とキャリア濃度の直流四端子測定
 ・800nm〜15000nmのスペクトル範囲におけるFTIR反射率測定

ウェハの成長およびパッケージングは​​、クラスISO 6（クラス1000）クリーンルーム環境で行われます。
GaAs / AlGaAs / InGaAs、AlInAs / InGaAs / InP、AlGaAsSb / GaInAsSb / GaSb、InAs / GaSb / AlSb等の様々な用途のための様々な異なる材料の組み合わせのための分子ビームエピタキシ基板サービスを提供します。

見積もり依頼は下記の情報をお伝え願います。
 ・層厚および材料組成
 ・ドーピング材料情報
 ・希望基板材料と基板サイズ
 ・許容誤差
 ・ウェハー枚数