<br />
<b>Warning</b>:  Use of undefined constant name - assumed 'name' (this will throw an Error in a future version of PHP) in <b>/home/xs947668/stg-opt-ron.site/public_html/old.stg-opt-ron.site/wp-content/themes/indeco/header.php</b> on line <b>61</b><br />
株式会社オプトロンサイエンス | 光ファイバ・コリメータ・レーザー発振器

info@opt-ron.com

TEL03-5800-1341 FAX03-5800-1342

Union Optronics社は1996年に台湾に最初に設立された半導体レーザーのリーディングカンパニーです。MOCVDエピタキシウェハ 、チッププロセス、パッケージング等の一貫した自社生産体制を取っています。

半導体レーザ/RCLED 用 エピウェハ

半導体レーザ及びRCLEDの2インチエピウェハです。波長は635nm~1550nmに対応しています。


  • ◆ 2” エピウェハ
  • ◆ 半導体レーザ 635~690nm、780~980nm、1300~1550nm
  • ◆ カスタムデザイン、DFB、DBR、RCLED など

Epi Wafers – Edge Emitting Laser

Product – Epi Wafer
Item
Descriptions
Materials
Substrate
eif-wafer chips Red Laser
635nm ~ 690nm Edge emitting laser InGaAlP 2 inch GaAs substrate
Infrared Laser 780nm ~ 980nm Edge emitting laser AlGaAs/Al-free active layer
2 inch GaAs substrate
Telecom. Laser 1300nm ~ 1550nm Edge emitting laser InGaAlAs/InGaAsP 2 inch InP substrate
Customer Design OEM/ODM
OEM/ODM 2 inch GaAs/InP substrate

Epi Wafers – RCLED

Product – Epi Wafer
Item
Descriptions
Materials
Substrate
eif-wafer chips High Speed LED 650/660nm Resonant Cavity LED without Oxidation Layer DBR AlxGa1-xAs / AlxGa1-xAs
High Index/ Low Index
QW InGaP / AlGaInP
2″ SC GaAs Sub.
High Speed LED 650/660nm Resonant Cavity LED with Oxidation Layer DBR AlxGa1-xAs / AlxGa1-xAs
High Index/ Low Index
QW InGaP / AlGaInP
Oxidation Layer Al0.98Ga0.02As
2″ SC GaAs Sub.

この製品に関するお問い合わせ

▲ページ先頭へ

製品情報