OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。

InGaAs ラージアクティブエリアフォトダイオード

FCI-InGaAs-QXXXシリーズは、アクティブエリアを大口径にしたInGaAsフォトダイオードです。

モデル名	アクティブエリア(直径)	エレメントギャップ	応答度1310nm	応答度1550nm	ダークカレント	キャパシタンス	ライズタイム	クロストーク	逆電圧	パッケージ
FCI-InGaAs-Q1000	1000 μm	0.045 mm	0.9 A/W	0.95 A/W	0.5 nA Vr = 5.0V	25 pF	3ns Vr = 5.0V	1 max λ =1550nm Vr=5.0V	15 V max	FCI-InGaAs-Q1000
FCI-InGaAs-Q3000	3000 μm	0.045 mm	0.9 A/W	0.95 A/W	2 nA Vr = 5.0V	225 pF	24 ns Vr = 5.0V	1 max λ =1550nm Vr=5.0V	10 V max	FCI-InGaAs-Q3000

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