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株式会社オプトロンサイエンス | 光ファイバ・コリメータ・レーザー発振器

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OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。

InGaAsフォトダイオードセラミックアッセンブリ

特徴

  • ・0.6%以下の低反射率
  • ・低ノイズ
  • ・高速対応
  • ・波長レンジ:900nm~1700nm

応用

  • ・波長ロック/波長モニター
  • ・レーザーバックファセットモニタリング
  • ・DWDM・各種計装

 

osi_InGaAs-Broadband-AntiReflective-Coated_001
  • OSIオプトエレlクトロニクス社の最新の製造ラインは非常に低い反射のフォトダイオードを含んでいます。
  • 通信用に設計されたInGaAs/InPフォトダイオードは1520nmから1620nmまで0.6%以下の反射ロスです。

 

 

ブロードバンド ARコート InGaAs フォトダイオード

 

仕様

モデル名
アクティブエリア
応答性1310nm
応答性1550nm
キャパシタンス
ダークカレント
最大逆電圧
最大逆電流
最大順電流
FCI-InGaAs-WCER-LR 0.85 A/W 0.90 A/W 15 pF Vr=5.0V 1 nA Vr=5.0V 20 V 2 mA 5 mA

 

メーカー製品カタログ

 

osi_InGaAs-Broadband-AntiReflective-Coated_001 70μm, 120μm, 300μm, 400μm, 500μmのアクティブエリアサイズのFCI-InGaAs-XXX-WCERは、金属化されたセラミック基板にマウントされたモニターフォトダイオードです。

 

高速 InGaAs フォトダイオード on セラミック サブマウント

 

仕様

モデル名
アクティブエリア
応答性1310nm
応答性1550nm
ダークカレント
キャパシタンス
ライズタイム
逆電圧
パッケージ
FCI-InGaAS-75WCER 75μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.03 nA
Vr=5.0V
0.65 pF
Vr=5.0V
0.2 ns
Vr=5.0V
20 V max FCI-InGaAS-XXX-WCER
FCI-InGaAS-120WCER 120μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.05 nA
Vr=5.0V
1 pF
Vr=5.0V
0.3 ns
Vr=5.0V
20 V max FCI-InGaAS-XXX-WCER
FCI-InGaAS-300WCER 300μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.3 nA
Vr=5.0V
10 pF
Vr=5.0V
1.5 ns
Vr=5.0V
15 V max FCI-InGaAS-XXX-WCER
FCI-InGaAS-400WCER 400μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.4 nA
Vr=5.0V
14 pF
Vr=5.0V
3 ns
Vr=5.0V
15 V max FCI-InGaAS-XXX-WCER
FCI-InGaAS-500WCER 500μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.5 nA
Vr=5.0V
20 pF
Vr=5.0V
10 ns
Vr=5.0V
15 V max FCI-InGaAS-XXX-WCER

 

メーカー製品カタログ

 

osi_InGaAs-Broadband-AntiReflective-Coated_001 FCI-InGaAs-XXX-WCERは、アクティブサイズ70μm, 120μm, 300μm, 400μm, 500μmの金属化されたセラミック基板にマウントされたモニターフォトダイオードです。

 

角度付きセラミックサブマウントにマウントされた高速InGaAsフォトダイオード

 

仕様

モデル名
アクティブエリア
応答性1310nm
応答性1550nm
ダークカレント
キャパシタンス
ライズタイム
逆電圧
パッケージ
FCI-InGaAS-75ACER 75μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.03 nA
Vr=5.0V
0.65 pF
Vr=5.0V
0.2 ns
Vr=5.0V
20 V max FCI-InGaAS-XXX-ACER
FCI-InGaAS-120ACER 120μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.05 nA
Vr=5.0V
1 pF
Vr=5.0V
0.3 ns
Vr=5.0V
20 V max FCI-InGaAS-XXX-ACER
FCI-InGaAS-300ACER 300μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.3 nA
Vr=5.0V
10 pF
Vr=5.0V
1.5 ns
Vr=5.0V
15 V max FCI-InGaAS-XXX-ACER
FCI-InGaAS-400ACER 400μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.4 nA
Vr=5.0V
14 pF
Vr=5.0V
3 ns
Vr=5.0V
15 V max FCI-InGaAS-XXX-ACER
FCI-InGaAS-500ACER 500μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.5 nA
Vr=5.0V
20 pF
Vr=5.0V
10 ns
Vr=5.0V
15 V max FCI-InGaAS-XXX-ACER

 

メーカー製品カタログ

 

osi_InGaAs-Highspeed-Leaded-Ceramic-Package_001 FCI-InGaAs-XXX-LCERは、70μm, 120μm, 300μm, 400μm, 500μmのアクティブサイズのガルウィングセラミック基板にマウントされた高速IR感度フォトダイオードです。

 

リードセラミックパッケージの高速InGaAsフォトダイオード

仕様

モデル名
アクティブエリア
応答性1310nm
応答性1550nm
ダークカレント
キャパシタンス
ライズタイム
逆電圧
パッケージ
FCI-InGaAS-75LCER 75μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.03 nA
Vr=5.0V
0.65 pF
Vr=5.0V
20 V max FCI-InGaAS-XXX-LCER
FCI-InGaAS-120LCER 120μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.05 nA
Vr=5.0V
1 pF
Vr=5.0V
0.3 ns
Vr=5.0V
20 V max FCI-InGaAS-XXX-LCER
FCI-InGaAS-300LCER 300μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.3 nA
Vr=5.0V
10 pF
Vr=5.0V
1.5 ns
Vr=5.0V
15 V max FCI-InGaAS-XXX-LCER
FCI-InGaAS-400LCER 400μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.4 nA
Vr=5.0V
14 pF
Vr=5.0V
3 ns
Vr=5.0V
15 V max FCI-InGaAS-XXX-LCER
FCI-InGaAS-500LCER 500μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.5 nA
Vr=5.0V
20 pF
Vr=5.0V
10 ns
Vr=5.0V
15 V max FCI-InGaAS-XXX-LCER

 

メーカー製品カタログ

 

osi_InGaAs-Highspeed-Cavity-Ceramic-Package_002 FCI-InGaAs-XXX-LCERは、70μm, 120μm, 300μm, 400μm, 500μmのアクティブサイズのガラス窓ガルウィングセラミック基板にマウントされた高速IR感度フォトダイオードです。

 

キャビティセラミックパッケージ上に高速InGaAsフォトダイオード

仕様

モデル名
アクティブエリア
応答性1310nm
応答性1550nm
ダークカレント
キャパシタンス
ライズタイム
逆電圧
パッケージ
FCI-InGaAS-75CCER 75μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.03 nA
Vr=5.0V
0.65 pF
Vr=5.0V
0.2 ns
Vr=5.0V
20 V max FCI-InGaAS-XXX-CCER
FCI-InGaAS-120CCER 120μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.05 nA
Vr=5.0V
1 pF
Vr=5.0V
0.3 ns
Vr=5.0V
20 V max FCI-InGaAS-XXX-CCER
FCI-InGaAS-300CCER 300μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.3 nA
Vr=5.0V
10 pF
Vr=5.0V
1.5 ns
Vr=5.0V
15 V max FCI-InGaAS-XXX-CCER
FCI-InGaAS-400CCER 400μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.4 nA
Vr=5.0V
14 pF
Vr=5.0V
3 ns
Vr=5.0V
15 V max FCI-InGaAS-XXX-CCER
FCI-InGaAS-500CCER 500μm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.5 nA
Vr=5.0V
20 pF
Vr=5.0V
10 ns
Vr=5.0V
15 V max FCI-InGaAS-XXX-CCER

 

メーカー製品カタログ

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