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株式会社オプトロンサイエンス | 光ファイバ・コリメータ・レーザー発振器

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中赤外半導体レーザ 1800~3400nm

Brolis Semiconductors社は、赤外レーザー製品およびシステムソリューションの中核製品を開発しています。 Brolis社は長波長材料エピタキシと中赤外レーザーチップ技術における独自のノウハウを組み合わせ、最も要求の厳しいアプリケーションでは1800nm〜3000nmの全スペクトル範囲で完全な中赤外レーザー製品ラインを提供します。
製品は高出力CWマルチモードレーザーダイオード、単一TEM00モードレーザーダイオード、広帯域利得チップ、単一周波数レーザの4つの主要なグループに分かれています。
Brolis社は10mW以下の低スレッシュホールドパワー、30%を超えるウォールプラグ効率、チップ当たり100nm以上のチューニングレンジを持つ単一周波数出力など、数多くの性能と経験を有する中赤外レーザ製品の世界的なリーディングカンパニーです。
分子ビームエピタキシーによる完全な自動化ダイボンディング(ハードソルダ、ソフトソルダ、エポキシ)、ワイヤボンディング、マイクロオプティクスアセンブリなど、社内では最先端のテクノロジーインフラストラクチャを社内全体に備えています。これにより、シングル周波数レーザから高出力マルチモードレーザーダイオードポンプモジュールまで、最も要求の厳しいカスタムソリューションを提供することが可能になりました。


  • ◆ 中赤外半導体レーザ(小型パッケージ)
  • ◆ 波長:1800~3400nm
  • ◆ 出力:数mW~数百mW
  • ◆ 用途 : ガス・大気センシング、膜厚測定、LIDAR、呼気測定 、グルコース濃度測定
モデル 波長 nm 出力 モード データシート
1940nm High-power CW laser diode 1940 1.0W Multi ico_pdf
20XXnm SAF gain-chip 1975-2075 14/40mW TEM00 ico_pdf
21XXnm single mode CW laser diode 2070 50-150mW TEM00 ico_pdf
21XXnm high-power CW laser diode 2100 0.8-1.2W Multi ico_pdf
23XXnm SAF gain-chip 2190-2310 10/16mW TEM00 ico_pdf
23XXnm single mode CW laser diode 2300-2340 40-60mW TEM00  ico_pdf
23XXnm high-power CW laser diode 2300 0.5-0.6W Multi  ico_pdf
24XXnm SAF gain-chip 2310-2410 5/18mW TEM00  ico_pdf
24XXnm single mode CW laser diode 2410-2450 80-120mW TEM00 ico_pdf
24XXnm high-power CW laser diode 2450 0.5-0.6W Multi ico_pdf
26XXnm single mode CW laser diode 2580-2600 5-20mW TEM00  ico_pdf
27XXnm single mode CW laser diode 2720 5-20mW TEM00  ico_pdf
30XXnm single mode CW laser diode 2960-3000 5-20mW TEM00  ico_pdf

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