Cryslaser社は中国・成都ハイテクパークにベースを持つ、レーザ結晶製造メーカーです。
前身から数え40年を超える結晶成長経験を持ち、そのノウハウと充実した製造設備を基に高品質なレーザ結晶をリーズナブルな価格で提供しております。
近年は高出力における熱レンズ効果を抑えることができる"拡散接合結晶"の開発にも力を入れており、ラインナップを拡充しております。
Nd:YVO4結晶 (Nd:YVO4)
Cryslaser社ではNd:YVO4(レーザー結晶)の成長も行っています。Nd:YVO4(レーザー結晶)はハイゲイン・ロースレッシュホールド・高変換効率などの特長があるため、ダイオード励起のレーザーでは一般的に使用されるようになりました。そして非線形光学結晶(LBO,BBO,KTP)との組み合わせにより波長変換して近赤外ー紫外までのレーザー光を発振することも可能です。
- ●ハイゲイン
- ●ロースレッシュホールド
- ●高効率
- ●広い吸収バンド幅
- ●出力されるレーザー光が偏光を持っている
-
- <レーザーロッド>
- ●フラット/フラット
- ●平行/アンチ平行
- ●ブリュースターアングル
- ●Concave/Convex radii
- ●シリンダー溝
<仕様>
材料 |
Nd:YVO4 |
ドープレベル |
0.1-3at% |
オリエンテーション |
A-cut 又は C-cut |
大きさ |
Diameter : 1-35mm, Length : 1-50mm (Customer requet) |
トレランス(円形) |
+0/-0.1mm |
トレランス(長さ) |
+0/-0.5mm |
Wavefront distortion |
<λ/8 @ 632.8nm |
面取 |
<0.15mm @ 45° |
ダメージスレッシュホールド |
>1GW/cm2 @ 1064nm 10ns 10Hz |
有効径 |
>90% |
フラットネス |
λ/10 @ 632.8nm |
Scratch/Dig |
10-5 @ MIL-0-13830A |
Chips |
<0.1mm |
垂直度 |
<5 arc minutes |
平行度 |
<10 arc seconds |
ARコーティング |
R<0.2% @ 1064nm |
<プロパティー>
結晶構成 |
Cubic |
ポイントグループ |
D4h |
密度 |
4.22g/cm3 |
モース硬度 |
4-5 |
Thermal Expansion Coefficient |
αa=4.43×10-6/K αc=11.37×10-6/K |
Thermal Conductivity coefficient |
C:51mw/cm.k//C:52.3mw/cm.k(300k) |
レーザー波長 |
1064nm, 1342nm |
ポンプ波長 |
808nm |
Stimulated emission cross section |
25×10-19cm2@1064nm |
蛍光時間 |
90μs(1% Nd doping) |
Absorption coefficient |
31.4cm-1@810nm |
Intrinsic loss |
0.02cm-1@1064nm |
ゲインバンド幅 |
0.96nm@1064nm |
偏光レーザーエミッション |
P偏光:オプティック軸平行(c軸) |
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