2GHz フォトレシーバ (HSA-X-Sシリーズ)
HSA-X-S シリーズは、最先端のフォトダイオードと Femto 社製 GHz アンプ の技術を組合わせた高性能な 2 GHz フォトレシーバです。ダイオードタイプは Si 製または InGaAs 製で、波長域はそれぞれ 320～1000 nm と 850～1700 nm です。Si 製モデルの HSA-X-S-1G4-SI は、ディテクタチップの前面にボールレンジを配置し、活性領域直径は 0.8 mm です。 トランスインピーダンスは 5 x 103 V/A です。最小 NEP はわずか 14 pW/√Hz で、μW レンジの光パワーレベルでも測定できます。
- ◆ 波長範囲 320 ~ 1700 nm
- ◆ バンド幅 10 kHz ~ 2 GHz
- ◆ 最大変換ゲイン 4.5 x 103 V/W
- ◆ 最小 NEP 約14 pW/√Hz
| モデル名 | HSA-X-S-1G4-SI | HSPR-X-I-1G4-SI(反転） | HSA-X-S-2G-IN | HSPR-X-I-2G-IN（反転） |
|---|---|---|---|---|
| フォトダイオード | φ0.4mm Si PIN | φ0.4mm Si PIN | φ0.1mm InGaAs PIN | φ0.1mm InGaAs PIN |
| 波長範囲 | 320 ~ 1000nm | 320 ~ 1000nm | 900 ~ 1700nm | 900 ~ 1700nm |
| バンド幅 [-3 dB] | 10kHz ~ 1.4kHz | 10kHz ~ 1.4kHz | 10kHz ~ 2GHz | 10kHz ~ 2GHz |
| 立ち上がり / 立ち下がり時間 (10 – 90%) | 250ps | 250ps | 180ps | 180ps |
| トランスインピーダンスゲイン | 5 x 103 V/A | 5 x 103 V/A
反転 |
5 x 103 V/A | 5 x 103 V/A 反転 |
| 最大変換ゲイン | 2.55 x 103V/W (@ 760nm) | 2.55 x 103V/W (@ 760nm) | 4.75 x 103V/W (@ 1550nm) | 4.75 x 103V/W (@ 1550nm) |
| 最小 NEP (@ 100MHz) | 32pW/√Hz (@ 760nm) | 19pW/√Hz (@ 760nm) | 16pW/√Hz (@ 1550nm) | 11pW/√Hz (@ 1550nm) |
| 入力方式 | 空間 / FC | 空間 / FC | 空間 / FC | 空間 / FC |
| カタログ |  |
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- ・分光
- ・高速パルス、トランジェント測定
- ・光トリガリング
- ・オシロスコープ / A/Dコンバーター用光フロントエンド
