InGaAsアバランシェフォトダイオード (InGaAs Avalanche Photodiode)
GPDは1973年以降、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオードを製造し、1985年からは赤外フォトディテクタの製造を開始しました。Ge、p-n、APDや高速InGaAsピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用の大面積の光検出器等が製品群です。 GPDはMIL-I-45208に従った検査システム、フォトダイオードはTelcordiaのテスト要求（TA-NWT-00093）、MIL-STD-883の試験方法を導入しています。または顧客仕様の要求に対応致します。
- 特徴
- ◆ 有口径：80μm~350μm
- ◆ 感度波長範囲：900nm~1650nm
- ◆ リニア動作
- ◆ 高感度向け低暗電流
- ◆ 高速向け低キャパシタンス
- ◆ 高信頼性ファイバピグテイル（シングル又はマルチモード）
- ◆ パッケージ：ボールレンズ付サブマウント及びTO-46
- 応用
- ◆ 自由空間光学系(FSO)
- ◆ LIDAR/LADAR
- ◆ 高感度測光
- ◆ 光通信
- ◆ 光パルス試験機(OTDR)
|
|
|
|
|---|---|---|---|
|
80 |
|
350 |
|
1.0~1.63 | 1.0~1.63 | 1.0~1.63 |
|
0.85 min./0.9typ./0.95max. | 0.85 min./0.9typ./1.05max. | 0.85 min./0.9typ./0.95max. |
暗電流(nA) @M=10 |
4 typ./5 max. | 8 typ./25 max. | 30 typ./250 max. |
動作電圧(V)VR @M=10 |
43 min./65 typ./70 max. | 43 min./65 typ./70 max. | 37 min./52 typ./68 max. |
|
|
50 min./63 typ./75 max. |
|
|
0.35 min./0.38 typ./0.45 max. |
|
|
VBR 温度係数(V/℃） |
0.06 typ. | 0.07 typ./0.08 max. | 0.075 typ. |
|
2 min./2.5 typ. /3 max. | 0.5 min./1.5 typ. /2 max. | 0.6 typ. |
|
1 min./1,5 typ. /2 max. | 1 min./1.5 typ. /2 max. | 0.6 typ. |
|
|
0.5 min./1 typ. /1.5 max. | 0.6 typ. |
|
3.2 typ./3.7 max. | 3.2 typ./3.7 max. | 3.2 typ./3.7 max. |
過剰雑音指数
|
5.5 typ./6 max. | 5.5 typ./6 max. | 5.5 typ./6 max. |
|
10 typ./40 max. | 32 typ./100 max. | 80 typ./100 max. |
パッケージ |
TO-46 窓キャップ付 | TO-46 窓キャップ付 | TO-46 窓キャップ付 |
保存温度（℃） |
-40~85 | -40~85 | -40~85 |
動作温度（℃） |
-40~70 | -40~70 | -40~70 |
逆電流(mA) |
1 | 1 | 1 |
順電流(mA) |
10 | 10 | 10 |
電力損失(mW) |
50 | 50 | 50 |
光入力密度(kW/cm2)10ns パルス |
200 | 200 | 200 |
光入力(mW)平均 |
1 | 1 | 1 |
