低偏波依存性損失(Low PDL) InGaAs フォトダイオード
GPDは1973年以降、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオードを製造し、1985年からは赤外フォトディテクタの製造を開始しました。Ge、p-n、APDや高速InGaAsピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用の大面積の光検出器等が製品群です。 GPDはMIL-I-45208に従った検査システム、フォトダイオードはTelcordiaのテスト要求(TA-NWT-00093)、MIL-STD-883の試験方法を導入しています。または顧客仕様の要求に対応致します。
- 特徴
- ◆ 有効径0.3-5mm
- ◆ 高感度
- ◆ カットオフ周波数(1.7um)
- ◆ 低偏波依存性損失(Low PDL)
- ◆ コネクター付可能(FC, SC, ST, SMA)
- 応用
- ◆ バックファセットレーザーダイオードモニタ
- ◆ 偏光依存確認(ファイバ,コネクタ)
- ◆ LD/LEDテスト&計測
- ◆ 光パワーメータ