高周波数製品を使用する多くの場合、不要な振動、グランドシールドの不完全さ、非線形性、アンプの設計不十分によるゲインピーキングやバンド幅減少などが 問題となります。Femto 社の高速カレントアンプは、これら問題に十分に対処できるよう設計されています。シグナルのソースパラメータや配線に影響されません。また静電容量 最大 2 nF まで、ゲインピーキング、振動、大きなバンド幅減少を防ぎます。

静電容量が 数 pF の場合、高周波数カレントアンプのバンド幅は大きく減少します。一方 Femto 社の高速カレントアンプには、この制限がなく、広いレンジをもつ静電容量からも影響を受けません。周波数補正や特殊な接続をすることなく、規定の最大静電 容量値までバンド幅とゲインを一定に保ちます。

モデル名に “-C” を付記したモデルは、nF 単位までの非常に大きい静電容量用に最適化されています。ラージエリアディテクタを用いたナノ秒までの高速測定に便利です。2 nF 以上の静電容量にも対応する製品を特注製造したします。

精密オフセット及びバイアスコントロール用に二つのトリムポットがついており、柔軟に使用できます。入力オフセット電流補正は広い範囲を調整でき、大きな DC コンポーネントからの信号でもダイナミクスを完全に保持します。 バイアス出力電圧は、このバイアストリムポットにより、-12 ～ +12 V 内で調整できます。