X線・UV放射光検出器

OSI optoelectronics

• ◆X線からUVの領域に感度特性のあるディテクター
• ◆感度領域は、200nm ～ 0.07nm　(6eV to 17.6keV)
  ◆シンチレーターやスクリーン無使用
  ◆真空互換性あり

紫外（＋可視光）波長用フォトダイオード

OSI optoelectronics

• ◆石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージ
• ◆波長感度は200nmから1100nm
• ◆低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇
•  

Si高速フォトダイオード

OSI optoelectronics

• ◆高速シリコンフォトダイオード
• ◆800nm波長域にピーク
• ◆高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで）仕様

Siフォトダイオードアレイ

OSI optoelectronics

• ◆線状か2次元配列を異なったアプリケーションに対応
• ◆各種サイズのアクティブアパチャで提供
  ◆LCC, DIP チップキャリア, PCB, セラミック，モノリシックはんだ付け可能ベアチップ

Si, InGaAs二色サンドイッチフォトディテクタ

OSI optoelectronics

◆標準的な黒体放射曲線との比較により遠隔温度測定

Nd-YAG最適化フォトダイオード

OSI optoelectronics

• ◆YAGレーザー出力光の位置検出用
• ◆1060nmで高感度に最適化されたフォトダイオード
  ◆低電気容量、低ノイズ、高速操作が可能
  ◆高い逆バイアス電圧(200ボルト)で操作

Siアバランシェフォトダイオード

OSI optoelectronics

• ◆シリコンアバランシェフォトダイオード
• ◆優れた感度・高い応答デバイス
• ◆フラットミラーまたはボールレンズで使用可能

Siフォトダイオードフィルタアセンブリ

OSI optoelectronics

• ◆光学フィルター付き
• ◆シリコンフォトダイオードのスペクトル応答を調整
• ◆低コストで効果的なソリューション
• ◆測光と放射分析検出器はより頻繁に統合された光学フィルターを使用

Siはんだ付け可能チップフォトダイオード

OSI optoelectronics

• ◆感度範囲：400nm～1100nm
• ◆はんだ付け可能チップフォトダイオード
• ◆太陽電池等

Siポジションセンサーフォトダイオード

OSI optoelectronics

◆1次元または2次元アクティブ領域効果
◆アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能
◆ポジションセンシング

Siプラスチックカプセルフォトダイオード

OSI optoelectronics

• ◆プラスチックカプセル化されたフォトダイオード
• ◆高品質、高信頼性

InGaAs高速フォトダイオード

OSI optoelectronics

• ◆高速70μm InGaAsフォトディテクター
• ◆TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合
• ◆高速シグナルディテクション＋アンプ

InGaAs大口径フォトダイオード

OSI optoelectronics

• ◆大口径アクティブエリアサイズ
• ◆波長帯：1100-1620nm
• ◆IR感度ディテクター

InGaAs ラージアクティブエリアフォトダイオード

OSI optoelectronics

• ◆ラージアクティブエリア
• ◆ビームの移動確認等に最適
• ◆センサー用途

InGaAsフォトダイオードアレイ

OSI optoelectronics

• ◆アレイタイプ（フォトダイオード）
• ◆高応答性で2.5Gbpsデータレート可能
• ◆高速IR感度フォトディテクター

InGaAs PD & TIA ハイブリッド

OSI optoelectronics

• ◆低ノイズトランスインピーダンスアンプ
• ◆広いバンド幅／広いダイナミックレンジ
• ◆波長レンジ：1100nm~1650nm
• ◆差動出力

InGaAsフォトダイオードセラミックアッセンブリ

OSI optoelectronics

• ◆0.6%以下の低反射率
• ◆低ノイズ
• ◆高速対応
• ◆波長レンジ：900nm～1700nm

GaAsフォトダイオード

OSI optoelectronics

• ◆GaAsフォトダイオード
• ◆GaAsを基にした半導体の光センサー
• ◆400から850nmに感度があり